Краткие параметры:
| Наименование параметров | ТО425-10, ТО 425-12,5, ТО425-16 | ТО 146-50, ТО146-63, ТО146-80 | ТО 135-25,ТО135-40, ТО-135-63, ТО 135-80 |
| 3.1Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при температуре корпуса 85˚С, А | 10; 12,5; 16 | 50, 63, 80 | 25; 40; 63; 80 |
| 3.2Импульсное напряжение в открытом состоянии, В, не более | 2; 1,75; 2 | 2; 2; 1,75 | 1,85 |
| 3.3Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии и повторяющееся импульсное обратное напряжение, В | 400-2000 (класс E 100) | 400-2000 (Класс´100) | 400-1200 (класс E 100) |
| 3.4Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии и повторяющийся импульсный обратный ток, мА, не более | 2 | 6 | 6 |
| 3.5Отпирающий импульсный ток управления при температуре | | | |
| корпуса 25˚С, мА, не более | | | |
| группа А | 80 | 80 | 80 |
| группа И | 200 | 250 | 250 |
| 3.6Отпирающее импульсное напряжение управления, В | | | 2,5 |
| при температуре 25ºС | 3 | |
| при минимально допустимой температуре перехода | 4 | 2,5 |
| 3.7**Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии, В/мкс – группа | не нормируется: 20; 50; 100; 200; | Не нормируется; 20;50;100;200;320;500;1000 (0;1;2;3;4;5;6;7) | не нормируется; 20; 50; 100;(0;1;2;3) |
| 3.8Не отпирающее постоянное напряжение управления, В, не менее | 0,9 | 0,9 | 0,95 |
| 3.9Вероятность безотказной работы за время наработки 1000 ч, | 0,998 | 0,995 | 0,95 |
| не менее |
| 3.10Гамма-процентный срок службы (γ=95%), лет | 10 | 10 | 15 |
| 3.11Масса прибора, кг, не более | 0,02 | 0,047 | 0,045 |
| 3.12Содержание чистого серебра, г | 0,003045 | | 0,0087 |
| 3.13Максимально допустимая температура корпуса, ˚С | 85 | 110 | 70 |
| 3.14Минимально допустимая температура при эксплуатации для климатического исполнения, ˚С | | | |
| У2 | минус 50 | минус 50 | минус 50 |
| УХЛ2 | минус 60 | | |
| УХЛ4 | плюя1 | плюс1 | плюс1 |
| Т3 | плюс10 | минус 10 | |
| 3.15Электрическая прочность изоляции между силовыми и выводами управления, В | | | |
| при первичной проверке | 3500 | 2500 | 2000 |
| при повторных проверках | 3000 | 2000 | 2000 |
Еще в 1995 году в своей работе Optoelectric devices network предложила целый набор специальных устройств, в которых соединение отдельных элементов происходило посредством электрических и оптических связей. Такой подход обусловил возможность создать условия для реализации спектрального и усиленного преобразования световых сигналов. Оптрон – это прибор, характеризующийся двумя устойчивыми состояниями, т. е. бистабильное устройство. Этимология данного термина восходит к английскому словосочетанию «optical-electronic device».
К сожалению, первые бистабильные приборы оказались непригодными к производству в больших масштабах. Основная причина заключалась в том, что они были спроектированы на базе, далекой от совершенства. Это были малоэффективные электролюминесцентные порошковые конденсаторы и фоторезисторы.
Низкокачественные эксплуатационные характеристики первых оптронов обусловили неудачу их практического применения. Низкая временная стабильность параметров и малая устойчивость к механическим нагрузкам были их основными недостатками. Поэтому оптронам первое время была отведена роль только лишь интересного научного открытия, которому, к сожалению, так и не смогли найти достойного практического применения.
Только лишь спустя пятнадцать лет началось массовое производство данных приборов, а сегодня оно считается одной из наиболее перспективных отраслей электронной техники и быстро развивается во всех ведущих странах.
Сфера применения оптронов
Сегодня в самых разнообразных установках в целях обеспечения постоянного и переменного токов широко используются оптотиристоры. Основная отличительная особенность данных устройств – отсутствие между силовыми вводами и выводами управления гальванической связи. Возможны следующие климатические исполнения (в зависимости от категории размещения):
В основе оптотиристоров лежат такие полупроводниковые элементы, как кремневый фототиристор и излучающий диод, арсенид галлиевый. Данные составные части объединены в приборах в одну конструкцию.
Массивное медное основание является анодным выводом монокристаллической р-п-р-п структуры.
Сфера использования оптронов:
- узлы радиоэлектронных устройств – управляемые ключи,
- регуляторы переменного тока (это могут быть устройства регулирования вращения двигателя постоянного тока или же средства контроля температуры),
- сильноточные реле,
- сфера станкостроения (для осуществления управления в ключевом режиме асинхронными двигателями).
